先前外資痛批三星電子不顧同行道義，在記憶體業趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉，韓媒指出，今年第一季三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)的半導體庫存雙雙創下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動，三星或許因此殺紅了眼。

 

    BusinessKorea 18 日報導，今年 Q1 季末，三星電子的半導體庫存達 7.4 兆韓圜，寫下同季歷史新高。SK 海力士的半導體庫存為 2.2 兆韓圜，更創下該公司史上之最。一般而言，企業都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4 應是出貨旺季，不料記憶體買氣從 2015 年開始急凍，2015 年 Q4 庫存增加速度之快，幾乎前所未見。

 

    三星半導體庫存連年提高，近來更急速成長。2012 年半導體庫存約為 4 兆韓圜，2015 年增至 6~7 兆韓圜，今年 Q1 更超越 7 兆韓圜。和 2015 年同期相比，今年 Q1 庫存飆升了 1.7 兆韓圜。主要原因應是記憶體買氣驟減，Q1 三星記憶體部門營收年減 3,700 億韓圜。

 

    與此同時，2015 年 SK 海力士的庫存大都在 1.5 兆韓圜以下，不料 2015 年年底突然暴增至 1.9 兆韓圜，今年 Q1 又一舉突破 2 兆韓圜。SK 海力士的庫存資產占總資產比重一路攀升，2014 年來從 5.6% 升至 6.5%，再增至 7.4%。庫存爆滿，問題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業者可能會啟動更激烈的殺價戰，出清庫存。

 

    記憶體業凄慘，又有新技術出來搶市場，前景更為黯淡。Phone Arena、Engadget 17 日報導，“相變化記憶體”(Phase-Change Memory，簡稱 PCM)因成本太高，智慧機等行動裝置無法采納，過去 15 年來一直應用在光碟片等科技產品。然而，IBM 現在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個記憶單位(cell)中儲存 3 位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙，未來可能會讓記憶體領域出現巨變。

 

    IBM Research 17 日在巴黎舉辦的 IEEE 國際記憶體研討會(International Memory Workshop)上表示，新開發的技術可降低 PCM 成本，價格不但能與快閃記憶體競爭，還會比 DRAM 更便宜。